8540.79.00.10: Klystrons

1. Zu Kapitel 85 gehören nicht:

1. a) Bettdecken, Heizkissen, Fußwärmer und ähnliche Gegenstände, mit elektrischer Heizvorrichtung; Kleidung, Schuhe, Ohrenschützer und andere am Körper zu tragende Gegenstände, mit elektrischer Heizvorrichtung;

2. b) Glaswaren der Position 7011;

3. c) Maschinen, Apparate und Geräte der Position 8486;

4. d) Staubsauger von der für medizinische, chirurgische, zahnärztliche oder tierärztliche Zwecke verwendeten Art (Position 9018); oder

5. e) elektrisch beheizte Möbel des Kapitels 94.

2. Waren, die sowohl den Positionen 8501 bis 8504 als auch der Position 8511, 8512, 8540, 8541 oder 8542 zugewiesen werden können, sind in eine der fünf zuletzt genannten Positionen einzureihen.

Quecksilberdampfgleichrichter mit Metallgefäß gehören jedoch zu Position 8504.

3. Im Sinne der Position 8507 umfasst der Begriff „elektrische Akkumulatoren“ auch solche Waren, die mit Hilfsvorrichtungen ausgestattet sind, die der Funktion des Akkumulators (des Speicherns oder der Versorgung mit Strom) dienen oder vor Zerstörung schützen, wie z.B. elektrische Stecker, Temperaturreglereinheiten (z.B. Thermistoren) und Stromkreisschutzvorrichtungen. Sie können auch Teile des Schutzgehäuses der Waren enthalten, in denen sie verwendet werden sollen.

4. Zu Position 8509 gehören folgende elektromechanische Geräte, sofern sie von einer üblicherweise im Haushalt verwendeten Art sind:

1. a) Bohnergeräte, Lebensmittelzerkleinerungs- und -mischgeräte, Frucht- und Gemüsepressen, mit beliebigem Gewicht;

2. b) andere Geräte mit einem Höchstgewicht von 20 kg, ausgenommen Ventilatoren und Abluft- oder Umluftabzugshauben mit eingebautem Ventilator, auch mit Filter (Position 8414), Wäscheschleudern (Position 8421), Geschirrspülmaschinen (Position 8422), Waschmaschinen für Wäsche (Position 8450), Bügelkalander und andere Bügelmaschinen (Position 8420 oder 8451), Nähmaschinen (Position 8452), elektrische Handscheren (Position 8467) und Elektrowärmegeräte (Position 8516).

5. Im Sinne der Position 8517 bezeichnet der Begriff „Smartphones“ Telefone für zellulare Netzwerke, ausgestattet mit einem mobilen Betriebssystem, das dafür ausgelegt ist, die Funktionen einer automatischen Datenverarbeitungsmaschine wie Herunterladen und gleichzeitiges Ausführen mehrerer Anwendungen auszuführen, auch Anwendungen Dritter, auch andere Funktionen wie digitale Kameras und Navigationssysteme umfassend.

6. Im Sinne der Position 8523 gelten:

1. a) als „nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung“ (z. B. „Flash Memory Card“ oder „Flash Electronic Storage Card“) Speichervorrichtungen mit einer elektrischen Anschlussvorrichtung, die im gleichen Gehäuse einen oder mehrere Flashspeicher (z. B. „Flash E2PROM“) in Form von auf gedruckten Schaltungen montierten integrierten Schaltungen enthalten. Sie können einen Controller in Form einer integrierten Schaltung und diskrete passive Bauelemente wie Kondensatoren und Widerstände enthalten;

2. b) als „intelligente Karten (smart cards)“, Karten, mit einer oder mehreren in ihnen als Mikroplättchen (Chip) eingelassenen elektronischen integrierten Schaltungen (Mikroprozessor, Schreib-/Lesespeicher (RAM - random access memory) oder Festwertspeicher (ROM - read-only memory)). Diese Karten dürfen Kontakte, einen Magnetstreifen oder eine eingelassene Antenne, aber keine anderen aktiven oder passiven Bauelemente enthalten.

7. Im Sinne der Position 8524 bezeichnen „Flachbildschirmmodule“ Geräte oder Apparate zur Informationsanzeige, mindestens mit einem Anzeigebildschirm ausgestattet, die dazu bestimmt sind, vor Gebrauch in Waren anderer Positionen eingebaut zu werden. Anzeigebildschirme für Flachbildschirmmodule umfassen unter anderem Bildschirme mit flacher, gekrümmter, biegsamer, faltbarer oder dehnbarer Form. Flachbildschirmmodule können zusätzliche Elemente enthalten, auch solche, die zum Empfang von Videosignalen und zur Pixelzuweisung dieser Signale auf der Anzeige nötig sind. Die Position 8524 umfasst jedoch nicht Anzeigemodule, die mit Komponenten für die Umwandlung von Videosignalen (z. B. einem integrierten Skalierungsschaltkreis, einem integrierten Dekodierschaltkreis oder einem Anwendungsprozessor) ausgestattet sind oder auf andere Weise den Charakter von Waren anderer Positionen erhalten haben.

Die Einreihung von Flachbildschirmmodulen im Sinne dieser Anmerkung in die Position 8524 hat Vorrang vor allen anderen Positionen der Nomenklatur.

8. „Gedruckte Schaltungen“ im Sinne der Position 8534 sind Schaltungen, bei denen auf einem isolierenden Träger durch ein beliebiges Druckverfahren (z. B. durch Ausstanzen, Elektroplattieren oder Ätzen) oder in der Technik der „Schichtschaltungen“ Leiterbahnen, Kontakte oder andere aufgedruckte Elemente (z. B. Induktionsspulen, Widerstände oder Kondensatoren) — einzeln oder miteinander nach einem vorher festgelegten Schaltplan verbunden — aufgebracht sind, nicht jedoch Bauelemente (wie z. B. Halbleiterbauelemente), die ein elektrisches Signal erzeugen, umformen, verändern oder verstärken können.

Der Begriff „gedruckte Schaltungen“ umfasst weder Schaltungen, die mit anderen als gedruckten Elementen versehen sind, noch einzelne diskrete Widerstände, Kondensatoren oder Induktionsspulen. Gedruckte Schaltungen können jedoch mit nicht durch Drucken hergestellten Anschlussstücken ausgestattet sein.

Dünnschicht- oder Dickschichtschaltungen gehören zu Position 8542, wenn sie passive und aktive Elemente enthalten, die während des gleichen technologischen Vorgangs hergestellt worden sind.

9. Im Sinne der Position 8536 gelten als „Verbinder für optische Fasern, Bündel aus optischen Fasern oder optische Kabel“ Verbinder, die lediglich dazu dienen, die optischen Fasern in einem digitalen drahtgebundenen System an den Enden zueinander mechanisch auszurichten. Sie üben keine andere Funktion, wie z. B. Verstärken, Wiederherstellen oder Verändern eines Signals aus.

10. Zu Position 8537 gehören nicht kabellose Infrarot-Fernbedienungen für Fernsehempfangsgeräte oder andere elektrische Apparate (Position 8543).

11. Im Sinne der Position 8539 umfasst der Begriff „Leuchtdiodenlichtquellen (LED-Lichtquellen)“

1. a) „Leuchtdiodenmodule (LED-Module)“, bei denen es sich um elektrische Lichtquellen handelt, die auf Leuchtdioden (LED) basieren, welche in elektrischen Schaltkreisen angeordnet sind und weitere, z. B. elektrische, mechanische, thermische oder optische Bauelemente enthalten. Sie können auch mit diskreten aktiven Bauelementen, diskreten passiven Bauelementen oder Waren der Position 8536 oder 8542 zur Stromversorgung oder -regelung ausgestattet sein. Leuchtdiodenmodule (LED-Module) besitzen keinen Sockel, der zum einfachen Einsetzen oder Austauschen in einer Leuchte dient und der den mechanischen Halt und elektrischen Kontakt ermöglicht.

2. b) „Leuchtdiodenlampen (LED-Lampen)“, bei denen es sich um elektrische Lichtquellen handelt, die mindestens ein Leuchtdiodenmodul (LED-Modul) enthalten, welches weitere, z. B. elektrische, mechanische, thermische oder optische Bauelemente enthält. Leuchtdiodenmodule (LED-Module) unterscheiden sich darin von Leuchtdiodenlampen (LED-Lampen), dass die Lampen einen Sockel besitzen, der zum einfachen Einsetzen oder Austauschen in einer Leuchte dient und der den mechanischen Halt und elektrischen Kontakt ermöglicht.

12. Im Sinne der Positionen 8541 und 8542 sind:

1. a)

   i) „Halbleiterbauelemente“ Bauelemente, deren Arbeitsweise auf der Veränderung des spezifischen Widerstandes unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes beruht oder halbleiterbasierte Transducer.

   Halbleiterbauelemente können auch Baugruppen aus vielen Bauelementen umfassen, die auch mit Nebenfunktionen erfüllenden aktiven und passiven Bauelementen ausgestattet sein können.

   Im Sinne dieser Definition sind „halbleiterbasierte Transducer“ halbleiterbasierte Sensoren, halbleiterbasierte Aktuatoren, halbleiterbasierte Resonatoren und halbleiterbasierte Oszillatoren, bei denen es sich um Arten von diskreten Halbleiterbauelementen handelt, die eine intrinsische Funktion erfüllen und in der Lage sind, jede Art physikalischer oder chemischer Phänomene oder eine Aktion in ein elektrisches Signal bzw. ein elektrisches Signal in eine beliebige Art physikalischer Phänomene oder eine Aktion umzuwandeln.

   Alle in halbleiterbasierten Transducern enthaltenen Bauelemente sind auf praktisch untrennbare Weise verbunden und können auch untrennbar vereinigte, für ihren Bau oder ihre Funktion notwendige Materialien enthalten.

   Die folgenden Ausdrücke haben die jeweilige Bedeutung:

   1. 1) „Halbleiterbasiert“ bedeutet auf einem Halbleitersubstrat aufgebaut oder hergestellt oder aus Halbleitermaterialien hergestellt, durch Halbleitertechnologie hergestellt, wobei das Halbleitersubstrat oder -material hinsichtlich Funktion und Leistung des Transducers eine wesentliche und nicht ersetzbare Rolle spielt und die Arbeitsweise auf Halbleitereigenschaften beruht, einschließlich physikalischer, elektrischer, chemischer und optischer Eigenschaften.

   2. 2) „Physikalische oder chemische Phänomene“ beziehen sich auf Phänomene, wie Druck, Schallwellen, Beschleunigung, Vibration, Bewegung, Orientierung, Belastung, magnetische Feldstärke, elektrische Feldstärke, Licht, Radioaktivität, Feuchte, Durchfluss, chemische Konzentrationen usw.

   3. 3) Ein „halbleiterbasierter Sensor“ ist ein Typ eines Halbleiterbauelements, das aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen besteht, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und der Erfassung physikalischer oder chemischer Größen und der Umwandlung dieser in elektrische Signale dienen, hervorgerufen durch Veränderungen elektrischer Eigenschaften oder eine Verschiebung der mechanischen Struktur.

   4. 4) Ein „halbleiterbasierter Aktuator“ ist ein Typ eines Halbleiterbauelements, das aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen besteht, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, elektrische Signale in physikalische Bewegung umzuwandeln.

   5. 5) Ein „halbleiterbasierter Resonator“ ist ein Typ eines Halbleiterbauelements, das aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen besteht, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, eine mechanische oder elektrische Schwingung mit festgelegter Frequenz zu erzeugen, die bei äußerer Anregung von der physikalischen Geometrie dieser Strukturen abhängig ist.

   6. 6) Ein „halbleiterbasierter Oszillator“ ist ein Typ eines Halbleiterbauelements, das aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen besteht, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, eine mechanische oder elektrische Schwingung mit festgelegter Frequenz zu erzeugen, die von der physikalischen Geometrie dieser Strukturen abhängig ist.

   ii) „Leuchtdioden (LED)“ sind auf Halbleitermaterialien basierende Halbleiterbauelemente, die elektrische Energie in sichtbare, infrarote oder ultraviolette Strahlung umwandeln, auch untereinander elektrisch verbunden und mit Schutzdioden kombiniert.

   Leuchtdioden (LED) der Position 8541 enthalten keine Elemente für die Stromversorgung oder -regelung;

2. b) „elektronische integrierte Schaltungen“:

   1. 1) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z. B. dotiertes Silizium, Galliumarsenid, Silizium-Germanium, Indiumphosphid) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;

   2. 2) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw.), die in der Dünnschicht oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z. B. Glas oder Keramik) vereinigt und durch Leiterbahnen oder Drähte verbunden sind. Diese Schaltungen können auch diskrete Bauelemente enthalten;

   3. 3) integrierte Multichip-Schaltungen, bei denen zwei oder mehr monolithische integrierte Schaltungen miteinander verbunden und auf praktisch untrennbare Weise vereinigt sind, auch auf einem oder mehreren isolierenden Trägern, auch mit Anschlussrahmen (Leadframes), jedoch ohne andere aktive oder passive Bauelemente.

   4. 4) Multikomponente Integrierte Schaltungen (MCOs): eine Kombination aus einer oder mehreren monolithischen, hybriden oder integrierten Multichip-Schaltungen mit mindestens einer der folgenden Komponenten: Silizium-basierende Sensoren, Aktuatoren, Oszillatoren, Resonatoren oder Kombinationen davon, oder Komponenten, die die Funktionen von Waren der Positionen 8532, 8533, 8541 ausführen, oder Induktoren der Position 8504, auf praktisch untrennbare Weise zu einer einzigen integrierten Schaltung verbunden, als Bestandteil von der für die Montage auf einer Leiterplatte (PCB) oder einem anderen Träger, durch Verbindung mittels Stiften (pins), Leitungen (leads), Lötbuckeln (balls), (lands), (bumps) oder Anschlussflächen (pads) verwendeten Art.

      Im Sinne dieser Definition gilt:

      1. 1) „Komponenten“ können diskret und unabhängig gefertigt und erst danach auf den Rest des MCO montiert oder in andere Komponenten integriert worden sein.

      2. 2) „auf der Basis von Silizium“ bedeutet auf einem Siliziumsubstrat aufgebaut oder aus Siliziummaterialien hergestellt oder bei der Fertigung auf den Chip eines integrierten Schaltkreises aufgebracht.

      3. 3)

         a) „Sensoren auf der Basis von Silizium“ bestehen aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und der Erfassung physikalischer oder chemischer Phänomene und der Wandlung dieser in elektrische Signale dienen, hervorgerufen durch Veränderungen elektrischer Eigenschaften oder einer Verschiebung der mechanischen Struktur. „Physikalische oder chemische Phänomene“ bezieht sich auf Phänomene, wie Druck, Schallwellen, Beschleunigung, Vibration, Bewegung, Orientierung, Belastung, magnetische Feldstärke, elektrische Feldstärke, Licht, Radioaktivität, Feuchte, Durchfluss, Chemische Konzentrationen usw.

         b) „Aktuatoren auf der Basis von Silizium“ bestehen aus mikroelektronischen und mechanischen Strukturen, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, elektrische Signale in physikalische Bewegung umzuwandeln.

         c) „Resonatoren auf der Basis von Silizium“ sind Komponenten, die aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen bestehen, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, eine mechanische oder elektrische Schwingung mit festgelegter Frequenz zu erzeugen, die bei äußerer Anregung von der physikalischen Geometrie dieser Strukturen abhängig ist.

         d) „Oszillatoren auf der Basis von Silizium“ sind aktive Komponenten, die aus mikroelektronischen oder mechanischen Strukturen bestehen, die in der Masse oder auf der Oberfläche eines Halbleiters erzeugt werden und dazu dienen, eine mechanische oder elektrische Schwingung mit festgelegter Frequenz zu erzeugen, die von der physikalischen Geometrie dieser Strukturen abhängig ist.

Mit Ausnahme der Position 8523 haben die Positionen 8541 und 8542 für die in dieser Anmerkung beschriebenen Waren Vorrang vor jeder anderen Position der Nomenklatur, die für diese Waren, insbesondere wegen ihrer Funktion, in Betracht kommen könnte.